По всей стране
Производство полупроводниковых пластин требует высокочистый аргон 99,999% и выше для выращивания монокристаллического кремния, травления чипов и процессов ионной имплантации. Аргон действует как инертный защитный газ, изолируя кислород и водяной пар и обеспечивая сверхвысокую чистоту среды производства чипов наноуровня.
Наш резервуар высокочистого аргона имеет устройство вторичной очистки, чистота выходного аргона может достигать 99,9999%, отвечая требованиям производства чипов менее 14 нм; колебания давления ≤±0,005 МПа, поэтому колебания давления не повлияют на процесс травления чипов.
